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WAlN-SA002 AlGaN 외연편
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1, 2) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003 AlGaN 외연편
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2, 3) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004 AlGaN 외연편
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3, 4) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001 AlGaN 외연편
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0. 1, 1) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec
LP2MQBB UVC LED 등잔
광 전력
15~30 mW
구동전류
80 mA
파장
260~280 nm
발광각
120°
작동 전압
5~7 V
추천
LP2AQHB UVC LED 등잔
광 전력
40~70 mW
구동전류
200 mA
파장
260~280 nm
발광각
120°
작동 전압
5~7 V
LP2AHAC UVC LED 등잔
광 전력
40~70 mW
구동전류
200 mA
파장
260~280 nm
발광각
30°
작동 전압
5~7 V
LP2AHAA UVC LED 등잔
광 전력
40~70 mW
구동전류
200 mA
파장
260~280 nm
발광각
60°
작동 전압
5~7 V
LM218QQA UVC LED 등잔
광 전력
400~600 mW
구동전류
600 mA
파장
260~280 nm
발광각
60°
작동 전압
15~21 V
LM44QPB UVC LED 등잔
광 전력
200~400 mW
구동전류
700 mA
파장
260~280 nm
발광각
120°
작동 전압
11~14 V
LM24QPB UVC LED 등잔
광 전력
70~150 mW
구동전류
200 mA
파장
260~280 nm
발광각
120°
작동 전압
10~14 V
LM24QMC UVC LED 등잔
광 전력
70~150 mW
구동전류
200 mA
파장
260~280 nm
발광각
30°
작동 전압
10~14 V
LM2HQMC UVC LED 등잔
광 전력
200~400 mW
구동전류
700 mA
파장
260~280 nm
발광각
30°
작동 전압
11~14 V
LM2HQMB UVC LED 등잔
광 전력
200~400 mW
구동전류
700 mA
파장
260~280 nm
발광각
120°
작동 전압
11~14 V
LM1HQPB UVC LED 등잔
광 전력
150~350 mW
구동전류
400 mA
파장
260~280 nm
발광각
120°
작동 전압
10~14 V