WAlN-SA004 AlGaN 외연편
| 제품 모델 | WAlN-SA004 |
| 제품 범주 | AlGaN 외연편 |
| 두께 | [3, 4) μm |
| (002) | ≤ 180 arcsec |
| (102) | ≤ 400 arcsec |
제품 설명
기반 MOCVD 공예의 고품질 AlN/Sapphire 템플릿
기본 매개변수
| 매개변수 이름 | 매개변수 값 |
|---|---|
| Diameter | 2 inch |
| Substrate | Sapphire |
| Substrate Thickness | 430±20 μm |
| Epilayer Thickness | [3, 4) μm |
| FWHM of 002 XRC | ≤ 180 arcsec |
| FWHM of 102 XRC | ≤ 400 arcsec |
| Front side roughness | ≤ 1. 5 nm (10×10 μm) |
| Edge exclusion | ≤ 3 mm |
| Through Crack | None |
| Surface orientation of a-plane | 0°±0. 1° |
| Surface orientation of m-plane | 0. 2°±0. 1° |
| Primary flat orientation | a-plane±0. 1° |
| Primary flat length | 16±1 mm |
| Back side roughness | 0. 8±0. 2 μm |
자주 묻는 질문
눈에 보이는 색은요 UV-C LED 발사 스펙트럼의 가시광선 부분, 반도체 재료에서 나온 산소 대체, 크리스털 배합 오류 등 각종 심층 에너지 등급과 가이드 에너지 등급 사이의 전자 약진. 결함 때문에 에너지 레벨 위치가 퀀텀 트랩 가격대에 비해 더 높음, 그래서 전자가 점차적으로 발사되는 광자의 파장이 더 길다, 보통 450nm 좌우, 가시광선. 반도체 장비 정밀도에 국한됨, 웨이퍼의 서로 다른 영역의 칩과 서로 다른 차수의 칩, 그 재료 결함 농도, 결함 범주는 모두 약간 차이가 있다. 이 차이는 가시광선을 발사하는 심도급 위치의 차이를 초래한다, 더 나아가 서로 다른 파장의 가시광선을 발사한다, 다른 색상 표시. 파장 차이는 적지만, 하지만 육안감지가 뚜렷해.
UVC-LED 오존이 생기지 않는다, 산소 공가 키 때문에 5. 1eV, 필요에 따라 파장이 최소 243nm 자외선이 끊겨요, 최종적으로 오존을 생성하다.
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